eUFS 3.1 f3zm
117/03/2020
El Samsung Galaxy Note 20 contará con las nuevas memorias Samsung eUFS 3.1 3h5r1f
Hoy mismo hablábamos de que Samsung ha anunciado el inicio de la producción en masa de sus nuevas memorias eUFS 3.1, unas memorias con capacidad de 512GB capaces de alcanzar velocidades de hasta 2100MB/s en lectura y 1200MB/s en... 1s6o6s
117/03/2020
Samsung ya fabrica en serie sus chips de memoria eUFS 3.1 de 512 GB a 2,1 GB/s 2m2946
Samsung ha anunciado en su sala de prensa virtual el inicio de la producción en serie de sus primeros chips de memoria eUFS 3.1 de 512 GB de almacenamiento destinados a smartphones de gama alta. Estos nuevos chips mejoran a los...
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