Samsung está implementando tecnología de unión híbrida para sus memorias HBM4 252b6a

Los fabricantes de memora siguen trabajando para aumentar el rendimiento y la velocidad con las próximas generaciones de HBM, que se incluyen en las aceleradoras tan demandadas en esta época de la Inteligencia Artificial. Samsung está preparando una nueva tecnología para la HBM4 que reducirá la temperatura y permitirá un mayor ancho de banda, esta es la llamada Hybrid Bonding. 5l3p5z

Esta tecnología consiste en sustituir las actuales técnicas para la comunicación entre las matrices de DRAM, utilizando microaperturas uniendo directamente las superficies de cobre con las de cobre y las de óxido con las de óxido. Esta técnica permite ensamblajes en 3D más delgados, y por consiguiente con un menor calentamiento que ayuda a mejorar la temperatura. Una técnica que permite eliminar los problemas que van apareciendo cuando la velocidad de los datos y la altura de las pilas va en aumento, y que también introducen importantes limitaciones térmicas y eléctricas.

Para esto Samsung está trabajando en esta unión híbrida para las memorias HBM4 de alto ancho de banda, empleando conexiones de paso inferiores a los 10 micrómetros. Estas conexiones más pequeñas reducen la resistencia y la capacitancia, a la vez que mejora la integridad de la señal. Una técnica que se aleja del camino que está llevando la competencia también con esta memoria HBM4, y que también parecen más económicas que la solución adoptada por Samsung. Otro problema asociado es si Samsung estará lista para una producción en masa de HBM4 para cuando la industria demande este nuevo tipo de memoria, se dice que quiere comenzar su producción para el próximo 2026.

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