Samsung retrasa la fabricación con nodo de 3 nanómetros y tecnología MBCFET hasta 2024 2y1m5w

TSMC domina perfectamente el nodo de 5 nanómetros, así ha presentado procesadores como el del próximo iPhone 14. 1z5f50

Intel se ha quedado estancado en los 10 nanómetros así que su más directo competidor sería Samsung, que anunció la fabricación a 3 nanómetros para el 2022. Pero vemos en SemiAnalysis como este proceso de 3 nanómetros que aprovecha los transistores GAAFET, y que la empresa denomina 3GAE, se ha retrasado hasta 2024. En este año es cuando Samsung podrá comenzar a fabricar en masa chips 3GAE, fecha en la que su rival TSMC contará con procesos de 2 nanómetros aprovechando el patrón múltiple EUV junto con otras tecnologías fruto de desarrollo interno.

Samsung ha promocionado mucho su tecnología de fabricación con nodo a 3 nanómetros, puesto que sería la primera en cambiar la arquitectura de los transistores. Así Samsung anunció una mejora del rendimiento del 35%, un aumento de potencia del 50% y un área del 45% inferior en comparación con su tecnología de 7 nanómetros. Pero todo esto tendrá que esperar, algo más de 2 años, para su producción, fecha en la que su principal competidor TSMC habrá tomado la delantera como líder en tecnologías más novedosas y modernas.

Fin del Artículo. ¡Cuéntanos algo en los Comentarios!